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半導體單晶硅傳感器材料受到外力作用

時間:2022-08-15 點擊次數(shù):

當半導體單晶硅傳感器材料受到外力作用,產(chǎn)生肉眼無法察覺的極小應變時,原子結構內(nèi)的電子能級狀態(tài)發(fā)生變化,導致電阻率劇烈變化,材料產(chǎn)生的電阻發(fā)生很大變化,稱為壓阻效應,我們在20世紀50年代才開始發(fā)現(xiàn)和研究這種效應的應用價值。


LF-605A

利用壓阻效應原理,采用三維集成電路工藝技術和一些特殊工藝,在單晶硅片上的特定晶體方向,制作應變電阻傳感器,利用硅的彈性力學特性,在同一硅片上進行特殊機械加工,集應力敏感性和力轉(zhuǎn)換檢測于一體,稱為固體壓阻傳感器。

固態(tài)壓阻壓力傳感器誕生于20世紀60年代末,顯然,與傳統(tǒng)的膜合電位計、力平衡、變電感、變電容、金屬應變片和半導體應變片傳感器相比,它在壓力測量領域仍然是最新一代傳感器。由于各自的特點和局限性,雖然不能完全取代上述機械量傳感器,但自20世紀80年代中期以來,在美國、日本和歐洲傳感器市場,它一直是壓力傳感器中的牛耳品種,幾乎與加速度傳感器的國際市場平分。目前,在具有大規(guī)模集成電路技術和計算機軟件技術干預的智能傳感器技術中,它仍然是最引人注目的,因為它可以制成單片式多功能復合敏感元件,形成智能傳感器的基礎。


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